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RT7241A 為 DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4 記憶體系統提供了完整的電源供應,其集成了一個先進固定導通時間(ACOT)模式的同步降壓型轉換器和一個具有1.5A電流吐納能力的追蹤型線性穩壓器。其中的 PWM 轉換器為筆記型電腦的 RAM 記憶體部分提供了將電池高電壓轉換為低壓供電的高效率方案,具有低靜態供應電流、優異的瞬態回應能力和極高的輸出電壓精度。它所採用的先進固定導通時間控制架構能很容易地面對很寬的輸入/輸出電壓比率範圍,並提供了一個非常快速的負載瞬態響應,無需外部補償。具有 1.5A 電流吐納能力的線性穩壓器僅需使用 10μF 的陶瓷電容即可維持其快速瞬態回應特性。RT7241A 支援所有的睡眠狀態控制功能:在S3狀態下置 VTT 于高阻狀態;在 S4/S5 狀態下對 VDDQ、VTT 和 VTT進行放電操作。RT7241A 提供了完整的保護特性,包含過流保護、過壓保護、欠壓保護及熱關機功能,其封裝為 UQFN-18L 3x4 。
DDR3/DDR3L/LPDDR3/DDR4完整的解決方案
PWM轉換器 (VDDQ)►100μA低靜電供應電流@S3模式►ACOTTM模式提供快速瞬態響應►支援MLCC輸出電容►集成低導通電阻 MOSFET
17mΩ高側MOSFET
4.5mΩ低側MOSFET►0.6~1.5V可調節輸出範圍 : 1.5V (DDR3), 1.35V (DDR3L), 1.2V (LPDDR3) 和 1.2V (DDR4)►4.5~23V電池輸入範圍►500kHz開關頻率►電阻可調節的穀底電流限制►過壓/欠壓保護►內部電壓斜坡軟啟動►電源良好信號指示
1.5A LDO (VTT)►具有1.5A電流吐納能力►LDO 輸入可用於優化功率耗損►僅需要10μF陶瓷輸出電容►集成分壓器使 VTT 追蹤 1/2 VDDQ►VTT電壓精準度±20mV ►支援高阻狀態的S3及軟關機的 S4/S5
追蹤模式的放電控制
熱始能覆晶封裝(FC)用於12A VDDQ 轉換器和1.5A VTT LDO
符合RoHS規範,不含鹵素
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